配资专业证券配资门户横店集团东磁股份有限公司申请掩膜层制备相关专利，掩膜层有较高的致密度能够耐受较长时间碱洗

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“掩膜层的制备方法、单晶硅片及制备方法、太阳能电池”的专利，公开号CN119876901A配资专业证券配资门户，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种掩膜层的制备方法、单晶硅片及制备方法、太阳能电池。上述掩膜层的制备方法采用CVD工艺在单晶硅片上形成氮化硅掩膜层和/或氧化硅掩膜层。其中，制备氮化硅掩膜层时通入一定流量的硅烷及氨气，并在高温、高压条件下进行沉积一定时间，制备氧化硅掩膜层时通过高温、高氧量、高压的工艺条件沉积一定时间，在单晶硅片的表面长出掩膜层，上述掩膜层有较高的致密度，能够耐受较长时间的碱洗，并使碱洗后掩膜层下方单晶硅经碱洗后为理想的绒面状态。

天眼查资料显示，横店集团东磁股份有限公司，成立于1999年，位于金华市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析，横店集团东磁股份有限公司共对外投资了38家企业，参与招投标项目3782次，财产线索方面有商标信息215条，专利信息2488条，此外企业还拥有行政许可78个。

本文源自：金融界

作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端配资专业证券配资门户

富灯网配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。